Datasheet下载- 型号： IPDH4N03LAG
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPDH4N03LAG由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPDH4N03LAG价格参考。InfineonIPDH4N03LAG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPDH4N03LAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPDH4N03LAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
英飞凌（Infineon Technologies）型号为IPDH4N03LAG的MOSFET，属于N沟道功率MOSFET，常用于高效率电源转换和电力电子系统中。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热性能的特点，适用于多种工业和消费类电子应用。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）中，用于高效能电能转换。 2. 电机驱动：用于无刷直流电机（BLDC）控制、电动工具、电动车驱动系统等。 3. 照明系统：如LED驱动电源，用于调光和恒流控制。 4. 工业自动化：作为开关元件用于PLC、继电器驱动和工业控制设备中。 5. 消费电子产品：如笔记本电脑、平板电源管理模块、充电器等。 该MOSFET采用先进的封装技术，具备良好的散热性能，适合高密度和高可靠性设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3-11 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPDH4N03LAG_Rev1.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42b553944d1 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPDH4N03LAG |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 40µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3200pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.2 毫欧 @ 60A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 其它名称 | IPDH4N03LAGINCT |
| 功率-最大值 | 94W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 90A （Tc） |
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