ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 > IXYH20N120C3D1
Datasheet下载- 型号： IXYH20N120C3D1
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXYH20N120C3D1由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXYH20N120C3D1价格参考。IXYSIXYH20N120C3D1封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT 1200V 36A 230W Through Hole TO-247 (IXYH)。您可以下载IXYH20N120C3D1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXYH20N120C3D1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS公司生产的IXYH20N120C3D1是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - UGBT（Ultrafast Gate Turn-off Thyristor）和MOSFET - 单一类别。该型号的主要应用场景包括： 1. 电源管理 - 开关电源（SMPS）：适用于高效率的开关电源设计，如AC-DC或DC-DC转换器。其低导通电阻和快速开关特性使其适合高频开关应用。 - 逆变器：用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）等设备中，实现高效的直流到交流转换。 2. 电机驱动 - 工业电机控制：在工业自动化领域，用于驱动中小型电机，提供精确的速度和扭矩控制。 - 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）：可用于车载充电器、电池管理系统以及辅助电机驱动系统。 3. 功率转换 - DC-DC转换器：在需要高效电压调节的应用中，如通信基站、服务器电源等。 - PFC电路（功率因数校正）：用于提高电力系统的功率因数，减少谐波失真。 4. 负载切换 - 负载开关：用于需要频繁开启和关闭高电流负载的场景，例如工业设备、家用电器等。 - 保护电路：作为过流保护或短路保护的关键元件。 5. 其他应用 - 焊接设备：在高频焊接机中，用于提供稳定的电流输出。 - 照明系统：用于LED驱动器或高强度放电灯（HID）的镇流器中。 技术优势 IXYH20N120C3D1具有以下特点，使其适用于上述场景： - 高耐压能力：额定电压为1200V，适合高压环境下的应用。 - 低导通电阻：有助于降低功耗，提高整体效率。 - 快速开关速度：减少开关损耗，支持高频工作。 - 高可靠性：经过严格测试，能够在恶劣环境下稳定运行。 总之，IXYH20N120C3D1凭借其高性能参数，广泛应用于工业、汽车、消费电子和可再生能源等领域，特别是在需要高效功率转换和控制的场合表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 20ns/90ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 88A |
| 描述 | IGBT 1200V 36A 230W TO-247ADIGBT 晶体管 XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 53nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXYH20N120C3D1GenX3™， XPT™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXYH20N120C3D1 |
| SwitchingEnergy | 1.3mJ （开）， 500µJ （关） |
| TestCondition | 600V，20A，10 欧姆，15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 3.4V @ 15V，20A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247 （IXYH） |
| 功率-最大值 | 230W |
| 功率耗散 | 230 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 195ns |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | XPT |
| 在25C的连续集电极电流 | 36 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 30 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 36A |
| 系列 | IXYH20N120 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 4 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 36 A |
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