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  • 型号: ZXMN10A25GTA
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN10A25GTA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN10A25GTA价格参考。Diodes Inc.ZXMN10A25GTA封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 2.9A(Ta) 2W(Ta) SOT-223。您可以下载ZXMN10A25GTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXMN10A25GTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223MOSFET 100V N-Channel 2.9A MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

4 A

Id-连续漏极电流

4 A

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMN10A25GTA-

数据手册

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产品型号

ZXMN10A25GTA

Pd-PowerDissipation

3.9 W

Pd-功率耗散

3.9 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

125 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

125 mOhms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

3.7 ns

下降时间

9.4 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

859pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

17nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

125 毫欧 @ 2.9A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-223

其它名称

ZXMN10A25G
ZXMN10A25GTATR
ZXMN10A25GTR
ZXMN10A25GTR-ND

其它图纸

典型关闭延迟时间

18 ns

功率-最大值

2W

包装

带卷 (TR)

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SOT-223-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1,000

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.9A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single Dual Drain

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