ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > PDTA114YMB,315
Datasheet下载- 型号： PDTA114YMB,315
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA114YMB,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA114YMB,315价格参考。NXP SemiconductorsPDTA114YMB,315封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 180MHz 250mW Surface Mount DFN1006B-3。您可以下载PDTA114YMB,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA114YMB,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTA114YMB,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款数字晶体管（即带预偏置电阻的 NPN 型双极结型晶体管，BRT），内置基极-发射极电阻（R1=10 kΩ）和基极-集电极反馈电阻（R2=10 kΩ），采用超小型无铅 SOT-883（0.8×0.6×0.4 mm）封装。 该器件主要面向空间受限、低功耗、高集成度的便携式电子应用。典型应用场景包括： ✅ 逻辑电平接口转换：将 1.8V/3.3V/5V 微控制器 GPIO 输出直接驱动 LED、蜂鸣器或小功率继电器，无需外置偏置电阻； ✅ LED 驱动电路：在智能手机、可穿戴设备、TWS 耳机等中用于背光、状态指示灯的恒流开关控制； ✅ 信号开关与电平整形：在传感器信号调理、I²C/SPI 总线缓冲、电源使能（EN）控制等场景中实现快速通断； ✅ 电池供电设备的低功耗控制：因具备明确的饱和特性与低输入驱动电流（典型IIN≈0.3 mA @ VIN=5V），可显著降低MCU输出级负载，延长电池寿命； ✅ 消费类电子与物联网终端：如智能门锁、遥控器、健康监测设备中的按键扫描、LED反馈、蜂鸣提示等子系统。 其小尺寸、高可靠性（AEC-Q200 兼容）、强ESD防护（HBM ±4 kV）及宽工作温度范围（−55°C 至 +150°C），亦支持部分工业与车载周边应用。需注意：不适用于大电流（ICmax = 100 mA）或高频放大场景，仅作开关用途。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA114YMB,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006B（0.6x1） |
| 其它名称 | 934065922315 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | 180MHz |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
