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Datasheet下载- 型号： DMG2301U-7
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMG2301U-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMG2301U-7价格参考。Diodes Inc.DMG2301U-7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 2.5A（Ta） 800mW（Ta） SOT-23-3。您可以下载DMG2301U-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMG2301U-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMG2301U-7是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），主要应用于低电压、低功耗的场景。该器件具有极低的导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适用于多种电源管理和信号切换应用。 主要应用场景： 1. 电源管理： - 电池供电设备：如移动电话、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品的电源管理电路中，DMG2301U-7可以用于高效的电源开关和负载控制。 - DC-DC转换器：在低压DC-DC转换器中，该MOSFET可以用作同步整流器或主开关，提高转换效率并减少发热。 - USB Type-C接口保护：由于其低导通电阻和快速响应时间，该器件非常适合用于USB Type-C接口的过流保护和电源切换。 2. 信号切换： - 模拟信号切换：在音频设备、传感器接口等需要进行模拟信号切换的应用中，DMG2301U-7可以作为信号路径的开关，确保信号传输的低损耗和高保真度。 - 逻辑电平转换：在不同电压域之间进行逻辑电平转换时，该MOSFET可以用作电平移位器，确保信号的正确传递。 3. 电机驱动： - 小型直流电机控制：在需要精确控制的小型直流电机（如风扇、泵、微型机器人等）中，DMG2301U-7可以用作电机驱动电路中的功率开关，实现高效的速度和方向控制。 4. 负载开关： - 多负载系统：在多负载系统中，如汽车电子、智能家居控制器等，该MOSFET可以用作负载开关，实现对不同负载的独立控制和保护。 5. 保护电路： - 过流保护：由于其快速的开关特性和低导通电阻，DMG2301U-7可以在检测到过流情况时迅速切断电流路径，保护下游电路免受损坏。 - 短路保护：在可能发生短路的情况下，该器件可以迅速响应并断开电源，防止进一步的损害。 总之，DMG2301U-7凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各种低电压、低功耗的电源管理和信号处理场景中，特别适合对效率和响应速度有较高要求的应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23MOSFET MOSFET P-CHANNEL SOT-23 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 2.7 A |
| Id-连续漏极电流 | - 2.7 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMG2301U-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMG2301U-7 |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.8 W |
| Pd-功率耗散 | 800 mW |
| Qg-GateCharge | 6.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 6.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 80 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 80 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 10.3 nS |
| 下降时间 | 22.2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 608pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 130 毫欧 @ 2.8A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | DMG2301U-7DITR |
| 典型关闭延迟时间 | 46.5 nS |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 10 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.5A （Ta） |
| 系列 | DMG2301U |
| 配置 | Single |
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