Datasheet下载- 型号： CSD16412Q5A
- 制造商： Texas Instruments
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD16412Q5A由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD16412Q5A价格参考。Texas InstrumentsCSD16412Q5A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CSD16412Q5A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD16412Q5A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD16412Q5A 是由 Texas Instruments（德州仪器）生产的一款高性能 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。该型号的应用场景主要包括以下几个方面： 1. 电源管理 CSD16412Q5A 常用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电压调节模块（VRM）中。其低导通电阻（Rds(on)）特性可以显著降低功率损耗，提高转换效率，适用于笔记本电脑、服务器和其他电子设备的电源管理系统。 2. 电机驱动 在无刷直流电机（BLDC）和步进电机驱动应用中，CSD16412Q5A 可作为功率级 MOSFET 使用。其快速开关特性和低导通电阻有助于减少发热，提升电机驱动系统的效率和可靠性，广泛应用于消费类电子产品、家用电器和工业自动化领域。 3. 电池保护与管理 该器件适用于锂电池保护电路和电池管理系统（BMS）。它可以通过精确控制电流流动来防止过充、过放和短路等问题，确保电池的安全性和使用寿命。常见于移动设备、电动工具和电动汽车等领域。 4. 负载开关 CSD16412Q5A 可用作高效负载开关，用于动态管理电源分配。它的低栅极电荷（Qg）和快速开关速度使其非常适合需要频繁开启/关闭操作的应用场景，例如 USB 充电端口、便携式设备和通信设备。 5. 汽车电子 在汽车电子系统中，CSD16412Q5A 可用于车身控制模块（BCM）、LED 照明驱动、车载充电器和逆变器等应用。其出色的热性能和耐用性能够满足严苛的汽车环境要求。 6. 通信基础设施 该 MOSFET 还可用于通信基站中的功率放大器和射频前端模块。其高可靠性和低损耗特性有助于优化信号传输效率，同时减少能源消耗。 综上所述，CSD16412Q5A 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等多个领域，是实现高效功率转换和控制的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 52A 8-SONMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 52 A |
| Id-连续漏极电流 | 14 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD16412Q5ANexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD16412Q5A |
| Pd-PowerDissipation | 3 W |
| Pd-功率耗散 | 3 W |
| Qg-栅极电荷 | 2.9 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 16 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 12 V, + 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V |
| 上升时间 | 7.1 ns |
| 下降时间 | 3.3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 530pF @ 12.5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SON（5x6） |
| 其它名称 | 296-24256-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 5.7 ns |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD16412Q5A |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 封装/箱体 | VSON-8 FET |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 33 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 14A（Ta）， 52A（Tc） |
| 系列 | CSD16412Q5A |
| 视频文件 | http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=541363338001http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001 |
| 设计资源 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/texas-instruments-webench-design-center/3176 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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