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  • 型号: IXFN240N15T2
  • 制造商: IXYS
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFN240N15T2由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFN240N15T2价格参考。IXYSIXFN240N15T2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFN240N15T2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFN240N15T2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS品牌的IXFN240N15T2是一款N沟道功率MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET),具有高电流、高电压和低导通电阻的特点。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:广泛用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC电源模块中,因其高效率和快速开关特性,适合高频工作环境。

2. 电机驱动:适用于工业电机控制、电动工具、电动车及伺服系统中的H桥或半桥驱动电路,可承受大电流并实现精确控制。

3. 逆变器系统:在太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和变频器中作为核心开关元件,用于将直流电转换为交流电,具备良好的热稳定性和耐压能力(1500V漏源击穿电压)。

4. 工业与电力控制:用于高功率负载开关、继电器替代、电焊机电源等工业设备中,提供可靠的高电压隔离与大电流承载能力。

5. 脉冲功率应用:如激光驱动、电磁阀控制等需要瞬时大电流输出的场合,得益于其240A的峰值电流能力。

该器件采用TO-268封装,便于散热和安装,适用于高功率密度设计。由于其增强型结构和15V栅极阈值电压,驱动较为简便,适合中高压、大电流的工业级应用环境。使用时需注意良好的散热设计和栅极驱动匹配,以确保稳定运行。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 150V 240A SOT227MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

产品分类

FET - 模块分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

240 A

Id-连续漏极电流

240 A

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,IXYS IXFN240N15T2GigaMOS™

数据手册

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产品型号

IXFN240N15T2

Pd-PowerDissipation

830 W

Pd-功率耗散

830 W

Qg-GateCharge

460 nC

Qg-栅极电荷

460 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

5.2 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

5.2 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

150 V

Vds-漏源极击穿电压

150 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

125 ns

下降时间

145 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 8mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

32000pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

460nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5.2 毫欧 @ 60A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-227B

典型关闭延迟时间

77 ns

功率-最大值

830W

包装

管件

商标

IXYS

商标名

HiPerFET

安装类型

底座安装

安装风格

SMD/SMT

封装

Tube

封装/外壳

SOT-227-4,miniBLOC

封装/箱体

SOT-227B-4

工厂包装数量

10

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

10

正向跨导-最小值

125 S

漏源极电压(Vdss)

150V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

240A

系列

IXFN240N15

通道模式

Enhancement

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