ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > ZVN2120GTA
Datasheet下载- 型号： ZVN2120GTA
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVN2120GTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVN2120GTA价格参考。Diodes Inc.ZVN2120GTA封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 200V 320mA（Ta） 2W（Ta） SOT-223。您可以下载ZVN2120GTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZVN2120GTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZVN2120GTA是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具有低导通电阻和快速开关特性。它广泛应用于各种电力电子设备中，特别适用于需要高效、紧凑设计的应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：ZVN2120GTA常用于DC-DC转换器、线性稳压器等电源管理电路中。它的低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功率损耗，提高效率。在便携式设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的充电电路中，该MOSFET可以实现高效的电压调节。 2. 电机驱动：该器件适用于小型电机驱动应用，例如无人机、智能家居设备中的风扇和泵。其快速开关特性和低导通电阻使得它可以有效地控制电机的速度和方向，同时保持较低的功耗。 3. 负载开关：ZVN2120GTA可用于实现负载开关功能，保护下游电路免受过流、短路等异常情况的影响。在USB端口保护、电池管理系统（BMS）等领域，它能够迅速切断电流路径，确保系统的安全性和可靠性。 4. 信号切换：在通信设备和音频系统中，ZVN2120GTA可以用作信号切换元件，用于选择不同的输入或输出通道。由于其低电容和快速响应时间，它可以在不引入显著延迟的情况下完成信号切换操作。 5. 消费电子产品：这款MOSFET还常见于各类消费电子产品，如智能手表、蓝牙耳机等可穿戴设备。这些产品通常要求小巧轻便的设计，而ZVN2120GTA的小尺寸封装（SOT-23）正好满足这一需求，并且能够在有限的空间内提供可靠的性能。 总之，ZVN2120GTA凭借其优异的电气特性，在众多低功率、高效率的应用场合表现出色，成为工程师们设计紧凑、高效电子产品的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223MOSFET N-Chnl 200V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 320 mA |
| Id-连续漏极电流 | 320 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVN2120GTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZVN2120GTA |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 10 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 10 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 85pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10 欧姆 @ 250mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | ZVN2120G |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 320mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
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