Datasheet下载- 型号： PMK50XP,518
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMK50XP,518由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMK50XP,518价格参考。NXP SemiconductorsPMK50XP,518封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMK50XP,518参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMK50XP,518 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMK50XP,518 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款晶体管，属于 FET（场效应晶体管）中的 MOSFET - 单类型。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 电源管理 - PMK50XP,518 常用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电压调节模块中，作为高效的开关元件。其低导通电阻（Rds(on)）特性可以减少功率损耗，提高系统的整体效率。 - 在电池管理系统（BMS）中，可用于充电控制、放电保护以及负载切换。 2. 电机驱动 - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，能够实现精确的速度控制和方向切换。 - 在 H 桥电路中，该 MOSFET 可以用作开关器件，支持正向和反向旋转操作。 3. 信号切换与隔离 - 在需要高频信号切换的应用中，如音频信号放大器或数据通信设备，PMK50XP,518 的快速开关速度和低电容特性使其成为理想选择。 - 可用于多路复用器或多通道切换电路中，提供稳定的信号传输。 4. 负载开关 - 在消费电子设备（如智能手机、平板电脑等）中，可用作负载开关，动态地控制不同模块的供电状态，从而降低待机功耗。 - 在汽车电子系统中，可用于控制车灯、雨刷器或其他外围设备的供电。 5. 过流保护 - 利用其内置的过流保护功能，PMK50XP,518 可以在异常情况下迅速切断电流路径，保护后端电路免受损害。 - 在 USB 充电接口或适配器中，可以用作短路保护器件。 6. 工业自动化 - 在工业控制系统中，可用于传感器信号的采集与处理，或者作为执行器的驱动元件。 - 在 PLC（可编程逻辑控制器）中，可用于输入/输出信号的切换和放大。 总结 PMK50XP,518 凭借其高性能参数（如低 Rds(on)、高耐压能力、快速开关速度等），广泛应用于电源管理、电机驱动、信号切换、负载开关、过流保护以及工业自动化等领域。具体应用还需根据实际电路设计需求进行选型和优化。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 7.9A 8-SOICMOSFET MOSFET P-CH FET 20V 7.9A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 7.9 A |
| Id-连续漏极电流 | - 7.9 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMK50XP,518TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMK50XP,518 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 5 W |
| Pd-功率耗散 | 5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 50 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 50 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1020pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 50 毫欧 @ 2.8A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | 568-9696-1 |
| 功率-最大值 | 5W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 50 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
| 漏极连续电流 | - 7.9 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.9A （Tc） |
| 配置 | Single |
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