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  • 型号: BS170PSTOB
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BS170PSTOB由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BS170PSTOB价格参考。Diodes Inc.BS170PSTOB封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BS170PSTOB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BS170PSTOB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BS170PSTOB是Diodes Incorporated生产的一款N沟道增强型MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET),常用于低电压、低功率开关应用。该器件采用TO-236(SOT-23)小型封装,适合空间受限的电路设计。

其典型应用场景包括:便携式电子设备中的电源管理开关,如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机中的负载开关;各类电池供电设备中的节能控制,通过MOSFET实现电路模块的通断以降低待机功耗;在DC-DC转换器中作为同步整流或驱动元件,提升转换效率;还可用于信号切换、LED驱动控制、电机驱动(小功率直流电机或步进电机的H桥驱动)以及各类逻辑控制电路中的电子开关。

由于BS170PSTOB具有较低的栅极阈值电压(通常1V~2.5V)、快速开关响应和较小的导通电阻(Rds(on)),能够兼容3.3V或5V逻辑电平直接驱动,无需额外的驱动电路,因此广泛应用于微控制器(MCU)或数字逻辑芯片控制的开关系统中。

此外,该型号具备良好的热稳定性和可靠性,适用于工业控制、消费类电子产品及家用电器中的小型控制模块。因其性价比高、体积小、易于使用,成为许多基础电子设计中的常用元件。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CHAN 60V TO92-3

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Diodes Incorporated

数据手册

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产品图片

产品型号

BS170PSTOB

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

60pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5 欧姆 @ 200mA,10V

供应商器件封装

TO-92-3

功率-最大值

625mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线

标准包装

2,000

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

270mA (Ta)

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