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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3447CDV-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3447CDV-T1-E3价格参考。VishaySI3447CDV-T1-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI3447CDV-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI3447CDV-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3447CDV-T1-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,常用于电源管理和功率开关应用。该器件适用于如下的典型应用场景: 1. 电源转换器与稳压器:用于 DC-DC 转换器、开关电源(SMPS)中,作为高效的功率开关,实现电压调节与能量转换。 2. 负载开关与电源管理:在电池供电设备中,如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中,用于控制电源通断,降低待机功耗。 3. 电机驱动与继电器替代:用于小型电机控制、继电器替代方案中,提供快速开关和低导通电阻特性。 4. 工业控制与自动化设备:适用于工业自动化系统中的功率控制模块,如PLC、传感器电源控制等。 5. 通信设备与服务器电源:在通信基础设施和服务器中,用于高效能电源模块,提升系统效率与可靠性。 该 MOSFET 具有低导通电阻、高开关速度和小型封装优势,适合高密度和高效率设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOPMOSFET 12V 7.8A 3.0W 36mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.3 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?69784 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3447CDV-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI3447CDV-T1-E3SI3447CDV-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 36 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 36 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 40 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 910pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 36 毫欧 @ 6.3A,4.5V |
| 产品种类 | P-Channel MOSFETs |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.8A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI3447CDV-E3 |