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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NSS40201LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS40201LT1G价格参考¥0.56-¥0.56。ON SemiconductorNSS40201LT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 40V 2A 150MHz 460mW 表面贴装 SOT-23-3(TO-236)。您可以下载NSS40201LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSS40201LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的NSS40201LT1G是一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于小信号通用晶体管,广泛应用于各类电子电路中。其主要应用场景包括: 1. 开关电路:由于具备快速开关特性和低饱和电压,NSS40201LT1G常用于电源管理、LED驱动、继电器控制等数字开关应用,适用于便携式设备和消费类电子产品中的低功耗开关需求。 2. 信号放大:在音频设备、传感器信号调理和小信号处理电路中,该晶体管可作为前置放大器或缓冲级,用于放大微弱电信号,提升系统灵敏度。 3. 逻辑电平转换:在数字系统(如微控制器与外围设备接口)中,可用于实现不同电压逻辑之间的电平转换,确保信号兼容性。 4. 消费类电子产品:广泛应用于智能手机、平板电脑、家用电器等设备中的电源控制、状态指示和信号切换模块。 5. 工业与汽车电子:得益于安森美在汽车级器件方面的可靠性认证,该型号也适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块和小型电机驱动等环境要求较高的场合。 NSS40201LT1G采用SOT-23封装,体积小巧,适合高密度PCB布局,并具有良好的热稳定性和一致性,是成本敏感且对性能有一定要求的应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 40V 4A SOT-23两极晶体管 - BJT LO V PNP TRANSISTOR 40V 4.0A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NSS40201LT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NSS40201LT1G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 115mV @ 200mA,2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 500mA,2V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | NSS40201LT1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 460mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 150 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 540 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 2A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 系列 | NSS40201L |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 40 V |
| 频率-跃迁 | 150MHz |