ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF840PBF
Datasheet下载- 型号： IRF840PBF
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF840PBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF840PBF价格参考￥询价-￥询价。VishayIRF840PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 500V 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRF840PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF840PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）是一家全球领先的半导体制造商，其产品广泛应用于汽车、工业、消费电子等多个领域。型号为IRF840PBF的器件是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于未分类产品中的一种功率半导体器件。 IRF840PBF的主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器等电源系统中，作为高效的开关元件使用。 2. 电机驱动：适用于直流电机控制、步进电机驱动、电动工具及自动化设备中的功率控制部分。 3. 照明系统：用于LED驱动电源、电子镇流器等照明控制电路中，提供高效稳定的电流控制。 4. 工业控制：广泛应用于工业自动化设备、PLC（可编程逻辑控制器）、继电器替代电路等工业控制系统中。 5. 消费电子产品：如电视电源、音响设备、充电器等，作为高效能、低损耗的功率开关元件。 该MOSFET具有较高的耐压能力（500V）、导通电阻较低、开关速度快、热稳定性好等特点，适合中高功率应用场合。由于其封装形式为TO-220，便于散热和安装，因此在多种电子设备中被广泛采用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 8A TO-220ABMOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF840PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF840PBFIRF840PBF |
| Pd-PowerDissipation | 125 W |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| Qg-栅极电荷 | 63 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 850 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 850 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 23 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 63nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 850 毫欧 @ 4.8A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRF840PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 49 ns |
| 功率-最大值 | 125W |
| 功率耗散 | 125 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 850 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 500 V |
| 漏极连续电流 | 8 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
| 零件号别名 | SIHF830-E3 |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
