ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 > NGD8205ANT4G
Datasheet下载- 型号： NGD8205ANT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NGD8205ANT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGD8205ANT4G价格参考。ON SemiconductorNGD8205ANT4G封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT 390V 20A 125W Surface Mount DPAK。您可以下载NGD8205ANT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NGD8205ANT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NGD8205ANT4G 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道N沟道逻辑电平MOSFET（非IGBT），采用SO-8封装，内部集成两个匹配的60V/4.5A（连续）低导通电阻（Rds(on)典型值仅28mΩ @ Vgs=10V）MOSFET，常用于高效率、小尺寸的电源开关应用。 其典型应用场景包括： ✅ 电池保护电路：广泛用于单节或多节锂离子/聚合物电池组的保护板（BMS），作为充放电主回路的双向开关（配合保护IC如S-8261），实现过充、过放、过流及短路保护； ✅ 负载开关（Load Switch）：在便携式设备（如TWS耳机、智能手环、POS终端）中控制电源域上电/断电，降低待机功耗； ✅ H桥驱动的低端开关：与外部高端器件配合，构成低压直流电机（如振动马达、小风扇）或LED调光驱动电路； ✅ DC-DC转换器同步整流：在降压型（Buck）转换器中作续流开关，提升转换效率（尤其在12V输入/3.3V–5V输出场景）； ✅ 热插拔（Hot-swap）与电源排序管理：利用其快速开关特性和内置ESD防护，保障系统上电可靠性。 注意：该器件为MOSFET而非IGBT（原问题中“IGBT、MOSFET - 单”分类有误，NGD8205ANT4G实为双N-MOSFET，无IGBT功能），不适用于高压大电流（>100V/10A）或高频逆变等IGBT典型场景。其逻辑电平驱动特性（Vgs(th)低至1.0–2.5V）便于与MCU/SoC直接连接，无需额外驱动电路。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | -/5µs |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 50A |
| 描述 | IGBT 390V 20A 125W DPAK-3 |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | - |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NGD8205ANT4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | 300V，9A，1 千欧，5V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.9V @ 4.5V，20A |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | NGD8205ANT4GOSDKR |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 390V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 20A |
| 输入类型 | 逻辑 |
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