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  • 型号: IPD60R950C6
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPD60R950C6由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD60R950C6价格参考。InfineonIPD60R950C6封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 600V 4.4A(Tc) 37W(Tc) PG-TO252-3。您可以下载IPD60R950C6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPD60R950C6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252MOSFET N-CH 650V 4.4A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

4.4 A

Id-连续漏极电流

4.4 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPD60R950C6CoolMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPP60R950C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd012297f4f9f644cb

产品型号

IPD60R950C6

Pd-PowerDissipation

37 W

Pd-功率耗散

37 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

860 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

860 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

650 V

Vds-漏源极击穿电压

650 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 130µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

280pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

13nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

950 毫欧 @ 1.5A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TO252-3

其它名称

IPD60R950C6INDKR

功率-最大值

37W

包装

Digi-Reel®

商标

Infineon Technologies

商标名

CoolMOS

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.4A (Tc)

系列

IPD60R950

零件号别名

IPD60R950C6BTMA1 SP000629368

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