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- 型号： IRLL110PBF
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLL110PBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLL110PBF价格参考。VishayIRLL110PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLL110PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLL110PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRLL110PBF是一种N沟道增强型功率MOSFET，主要应用于需要低导通电阻和高效开关的场景。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理：适用于直流-直流转换器、电压调节模块（VRM）以及负载开关等应用。其低导通电阻（Rds(on)）特性能够减少功率损耗，提高效率。 2. 电机驱动：可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，提供高效的开关控制，支持电机正反转及速度调节。 3. 电池保护与管理：在便携式电子设备中，如笔记本电脑、平板电脑或手机的电池管理系统中，用作电池充放电路径的开关，确保安全可靠的电池操作。 4. 汽车电子：适合汽车内的各种电子控制单元（ECU），例如座椅调节、车窗升降、雨刷控制等，具有良好的耐热性和可靠性。 5. 工业自动化：应用于可编程逻辑控制器（PLC）、继电器替代方案以及传感器接口等领域，实现精准的信号处理与执行机构控制。 6. 消费类电子产品：用于游戏机、数码相机、打印机等设备中的电源开关或负载控制，保证设备运行稳定并降低能耗。 7. 通信设备：在网络路由器、交换机等通信设施中作为信号切换或功率分配的组件，支持高速数据传输环境下的稳定工作。 总之，IRLL110PBF凭借其优异的电气性能和坚固的设计，在众多需要高性能功率开关的应用领域表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.5 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRLL110PBF- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91320 |
| 产品型号 | IRLL110PBFIRLL110PBF |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 540 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 540 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 47 ns |
| 下降时间 | 18 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.1nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 540 毫欧 @ 900mA，5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 功率耗散 | 2 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 540 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 40 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 1.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.5A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 闸/源击穿电压 | +/- 10 V |
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