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  • 型号: FDS6679AZ
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDS6679AZ产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDS6679AZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS6679AZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDS6679AZ封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, P-Channel 30V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC。您可以下载FDS6679AZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDS6679AZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOICMOSFET -30V P-Channel PowerTrench MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

13 A

Id-连续漏极电流

13 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS6679AZPowerTrench®

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产品型号

FDS6679AZ

PCN组件/产地

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

9.3 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

9.3 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

上升时间

15 ns

下降时间

92 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3845pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

96nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

9.3 毫欧 @ 13A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SOIC N

其它名称

FDS6679AZCT

典型关闭延迟时间

210 ns

功率-最大值

1W

包装

剪切带 (CT)

单位重量

187 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8 Narrow

工厂包装数量

2500

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

13A (Ta)

系列

FDS6679

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

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