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Datasheet下载- 型号： IRFP2907PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP2907PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP2907PBF价格参考￥18.61-￥34.48。International RectifierIRFP2907PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFP2907PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFP2907PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFP2907PBF是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效能开关和低导通电阻的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：IRFP2907PBF适用于各种开关电源（SMPS）设计，包括AC-DC转换器、DC-DC转换器和逆变器。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少传导损耗，提高整体效率。 2. 电机驱动：该器件适合用于工业和消费类电机驱动应用中，如风扇、泵、压缩机等。它能够承受高电流和电压，确保电机启动和运行时的稳定性和可靠性。 3. 不间断电源（UPS）：在UPS系统中，IRFP2907PBF可用于电池充电电路和逆变电路，提供高效的能量转换和保护功能。 4. 太阳能逆变器：这款MOSFET可应用于太阳能发电系统的逆变器中，将直流电转换为交流电，支持绿色能源的高效利用。 5. 电动车辆（EV）和混合动力车辆（HEV）：在电动车和混合动力车的电力电子系统中，IRFP2907PBF可用于电池管理系统、牵引逆变器和其他关键组件，助力实现更高的能效和性能。 6. 焊接设备：在焊接机中，该MOSFET可以作为高频开关元件，提供稳定的输出电流和电压控制。 7. 照明系统：用于高亮度LED驱动器和电子镇流器中，提供精确的电流调节和快速的动态响应。 8. 音频放大器：在大功率音频放大器中，IRFP2907PBF可用作输出级开关，提供高质量的声音输出。 总之，IRFP2907PBF凭借其优异的电气特性和耐用性，成为众多电力电子应用中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 209A TO247ACMOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 209 A |
| Id-连续漏极电流 | 209 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFP2907PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFP2907PBF |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 330 W |
| Pd-功率耗散 | 330 W |
| Qg-GateCharge | 410 nC |
| Qg-栅极电荷 | 410 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 190 ns |
| 下降时间 | 130 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 13000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 620nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.5 毫欧 @ 125A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247AC |
| 其它名称 | *IRFP2907PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 130 ns |
| 功率-最大值 | 470W |
| 功率耗散 | 330 W |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 4.5 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 410 nC |
| 标准包装 | 25 |
| 汲极/源极击穿电压 | 75 V |
| 漏极连续电流 | 209 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 209A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfp2907.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfp2907.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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