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IRF640NLPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF640NLPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF640NLPBF价格参考。International RectifierIRF640NLPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 200V 18A(Tc) 150W(Tc) TO-262。您可以下载IRF640NLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF640NLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF640NLPBF是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于各种电力电子设备中。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源 IRF640NLPBF常用于开关电源中的功率开关,特别是在DC-DC转换器和AC-DC适配器中。它能够高效地控制电流的通断,帮助实现高效的电压转换。由于其低导通电阻和快速开关特性,可以在高频条件下工作,减少能量损失。 2. 电机驱动 该器件适用于驱动中小功率的直流电机或步进电机。通过PWM(脉宽调制)技术,可以精确控制电机的速度和扭矩。其低导通电阻有助于减少发热,提高系统的整体效率。 3. 逆变器 在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中,IRF640NLPBF可以用作开关元件,将直流电转换为交流电。其高耐压特性和良好的开关性能使其能够在恶劣的工作环境中稳定运行。 4. 电池管理系统 IRF640NLPBF可用于电池管理系统的保护电路中,例如过流保护、短路保护等。它可以快速响应异常情况,切断电流路径,保护电池和其他电路元件免受损坏。 5. LED驱动 在大功率LED照明系统中,IRF640NLPBF可以用作恒流源的开关元件,确保LED在稳定的电流下工作,延长其使用寿命并提高光效。 6. 音频放大器 一些音频放大器设计中也使用了IRF640NLPBF作为输出级的开关元件,尤其是在D类放大器中。它的快速开关特性和低导通电阻有助于提高音频信号的质量,减少失真。 7. 工业自动化 在工业自动化设备中,如PLC(可编程逻辑控制器)、伺服驱动器等,IRF640NLPBF可以用作信号隔离和功率驱动元件,确保控制系统稳定可靠。 总之,IRF640NLPBF凭借其出色的电气特性,在多个领域中发挥着重要作用,特别适合需要高效、可靠电力控制的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 18A TO-262MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF640NLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF640NLPBF |
| Pd-PowerDissipation | 150 W |
| Pd-功率耗散 | 150 W |
| Qg-GateCharge | 44.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 44.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 150 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 150 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 19 ns |
| 下降时间 | 5.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1160pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 67nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 150 毫欧 @ 11A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-262 |
| 其它名称 | *IRF640NLPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 23 ns |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
| 封装/箱体 | I2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 6.8 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 18A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |