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产品简介:
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FQU7P06TU_NB82048 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,主要应用于需要高效功率开关的场景。其典型应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中,实现高效的能量转换,适用于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源系统。 2. 负载开关:在电池供电设备中作为负载开关使用,控制电源通断,降低待机功耗。 3. 电机驱动:适用于小型电机控制电路,如无人机、机器人和电动工具中的驱动模块。 4. 照明系统:用于LED照明的调光与开关控制,尤其在需要高效率和小尺寸封装的场合。 5. 汽车电子:如车载充电器、车身控制模块等,得益于其高可靠性和良好的热稳定性。 该MOSFET具有低导通电阻、高耐压(60V)和适中的电流承载能力(约7A),采用小型封装,适合高密度PCB设计,广泛应用于消费电子、工业控制和汽车领域中的中低功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 5.4A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQU7P06TU_NB82048 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 295pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 451 毫欧 @ 2.7A,10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
| 标准包装 | 70 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.4A (Tc) |