【光学传感器 - 光断续器 - 槽型 - 晶体管输出_EE-SV3-D】封装/厂家_EE-SV3-D中文资料_价格

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型号： EE-SV3-D
制造商： Omron Electronics LLC
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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EE-SV3-D产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供EE-SV3-D由Omron Electronics LLC设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EE-SV3-D价格参考￥35.96-￥51.21。Omron Electronics LLCEE-SV3-D封装/规格：光学传感器 - 光断续器 - 槽型 - 晶体管输出， Optical Sensor Transmissive 0.134" (3.4mm) Phototransistor PCB Mount。您可以下载EE-SV3-D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有EE-SV3-D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Omron Electronics Inc-EMC Div生产的EE-SV3-D是一种光学传感器，属于光断续器（也称为光电开关或槽型光电传感器），采用晶体管输出设计。这种型号的传感器通常用于检测物体的存在、位置、运动或中断等情况，适用于多种工业和自动化场景。以下是EE-SV3-D的一些典型应用场景：

1. 计数应用：  
   EE-SV3-D可以用来对通过传感器槽口的物体进行计数，例如在生产线上传送带上的产品数量统计。

2. 速度测量：  
   通过检测旋转编码器或其他带有间歇性遮挡物的部件，EE-SV3-D能够测量运动物体的速度。

3. 位置检测：  
   在自动化设备中，该传感器可用于检测机械部件是否到达预定位置，如滑轨、活塞杆或旋转轴的位置确认。

4. 同步控制：  
   在多工位设备中，EE-SV3-D可以帮助实现不同工序之间的同步控制，确保每个环节按正确顺序运行。

5. 安全防护：  
   虽然EE-SV3-D主要用于小型目标检测，但在某些情况下也可以作为辅助手段来监测关键部位是否被异物阻挡，从而触发报警或停机保护。

6. 包装行业：  
   在包装线上，它可以检测标签纸、薄膜等材料的有无以及其移动状态，确保包装过程顺利进行。

7. 打印机与办公设备：  
   此类传感器常用于打印机、复印机等办公设备中，用以监控纸张输送路径是否有卡纸现象或者检测墨盒安装状态。

8. 电梯与自动门系统：  
   在一些小型电梯或自动门系统中，EE-SV3-D可能被用来检测门是否完全关闭，或者是否有障碍物阻碍关门动作。

EE-SV3-D凭借其紧凑的设计、高灵敏度以及稳定的性能，在需要精确且快速响应的场合表现出色。由于它是槽型光断续器，适合用于空间有限且要求高精度检测的应用环境。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	传感器，变送器
描述	SENSR OPTO SLOT 3.4MM TRANS THRU光学开关（透射型，光电晶体管输出） PHOTO MICROSENSOR
产品分类	光学传感器 - 光断续器 - 槽型 - 晶体管输出
品牌	Omron Electronics Inc-EMC Div
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	光学开关（透射型，光电晶体管输出）,Omron Electronics EE-SV3-D-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	EE-SV3-D
上升时间	4 us
下降时间	4 us
产品种类	光学开关（透射型，光电晶体管输出）
光圈宽度	0.5 mm
其它名称	EE-SV3-D-ND EESV3D OR1033
其它有关文件	点击此处下载产品Datasheet
功率耗散	100 mW
包装	散装
响应时间	4µs， 4µs
商标	Omron Electronics
安装类型	通孔
封装/外壳	PCB 安装
工作温度	-25°C ~ 85°C
工厂包装数量	100
感应方式	Transmissive, Slotted
感应方法	可传导的
感应距离	0.134"（3.4mm）
最大工作温度	+ 85 C
最大集电极电流	20 mA
最小工作温度	- 25 C
标准包装	100
槽宽	3.4 mm
正向电流	50 mA
波长	850 nm
特色产品	http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/nonamplified-photomicrosensors/52959
电压-集射极击穿（最大值）	30V
电流-DC正向(If)	50mA
电流-集电极(Ic)（最大值）	20mA
类型	无放大
系列	EE-SV3
输出设备	Phototransistor
输出配置	光电晶体管
集电极—发射极最大电压VCEO	30 V
零件号别名	367377

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型号： EE-SV3-D
制造商： OMRON Electronic Components LLC
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要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

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Omron Electronics Inc-EMC Div生产的EE-SV3-D是一种光学传感器，属于光断续器（也称为光电开关或槽型光电传感器），采用晶体管输出设计。这种型号的传感器通常用于检测物体的存在、位置、运动或中断等情况，适用于多种工业和自动化场景。以下是EE-SV3-D的一些典型应用场景：

1. 计数应用：  
   EE-SV3-D可以用来对通过传感器槽口的物体进行计数，例如在生产线上传送带上的产品数量统计。

2. 速度测量：  
   通过检测旋转编码器或其他带有间歇性遮挡物的部件，EE-SV3-D能够测量运动物体的速度。

3. 位置检测：  
   在自动化设备中，该传感器可用于检测机械部件是否到达预定位置，如滑轨、活塞杆或旋转轴的位置确认。

4. 同步控制：  
   在多工位设备中，EE-SV3-D可以帮助实现不同工序之间的同步控制，确保每个环节按正确顺序运行。

5. 安全防护：  
   虽然EE-SV3-D主要用于小型目标检测，但在某些情况下也可以作为辅助手段来监测关键部位是否被异物阻挡，从而触发报警或停机保护。

6. 包装行业：  
   在包装线上，它可以检测标签纸、薄膜等材料的有无以及其移动状态，确保包装过程顺利进行。

7. 打印机与办公设备：  
   此类传感器常用于打印机、复印机等办公设备中，用以监控纸张输送路径是否有卡纸现象或者检测墨盒安装状态。

8. 电梯与自动门系统：  
   在一些小型电梯或自动门系统中，EE-SV3-D可能被用来检测门是否完全关闭，或者是否有障碍物阻碍关门动作。

EE-SV3-D凭借其紧凑的设计、高灵敏度以及稳定的性能，在需要精确且快速响应的场合表现出色。由于它是槽型光断续器，适合用于空间有限且要求高精度检测的应用环境。

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Photomicrosensor (Transmissive) EE-SV3 Series Be sure to read Precautions on page25. ■ Dimensions ■ Features Note:All units are in millimeters unless otherwise indicated. (cid:129)High-resolution model with a 0.2-mm-wide or 0.5-mm-wide sensing aperture, high-sensitivity model with a 1-mm-wide sensing aper- ture, and model with a horizontal sensing aperture are available. (cid:129)Solder terminal models: EE-SV3/-SV3-CS/-SV3-DS/-SV3-GS (cid:129)PCB terminal models Center mark EE-SV3-B/-SV3-C/-SV3-D/-SV3-G ■ Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Symbol Rated value Four, R1 Four, R1 Emitter Forward current I 50 mA F (seenote 1) Pulse forward I 1 A FP current (seenote2) Two, Two, Four, 0.5 Four, 0.253h.o2le±s0.2 dia. F2.o5u4r±, 01..25 3h.o2le±s0.2 dia. 2.54±0.2 Detector RCeovlleercsteo rv–oEltmagite- VVRCEO 43 0V V ter voltage Cross section AA Cross section AA Emitter–Collec- V --- Model Aperture (a x b) ECO tor voltage EE-SV3(-B) 2.1 x 0.5 Collector current I 20 mA C EE-SV3-C(S) 2.1 x 1.0 Collector dissipa- P 100 mW C EE-SV3-D(S) 2.1 x 0.2 tion (seenote 1) Internal Circuit EE-SV3-G(S) 0.5 x 2.1 Ambient tem- Operating Topr –25°C to perature 85°C K C Unless otherwise specified, the Storage Tstg –30°C to tolerances are as shown below. 100°C Soldering temperature Tsol 260°C A E Dimensions Tolerance (see note 3) 3 mm max. ±0.2 Terminal No. Name 3 < mm ≤ 6 ±0.24 Note:1. Rateufreer etox ctheee dtes m25p°eCra.ture rating chart if the ambient temper- A Anode 6 < mm ≤ 10 ±0.29 2. The pulse width is 10 μs maximum with a frequency of K Cathode 100Hz. 10 < mm ≤ 18 ±0.35 C Collector 3. Complete soldering within 10 seconds. E Emitter 18 < mm ≤ 30 ±0.42 ■ Electrical and Optical Characteristics (Ta = 25°C) Item Symbol Value Condition EE-SV3(-B) EE-SV3-C(S) EE-SV3-D(S) EE-SV3-G(S) Emitter Forward voltage V 1.2 V typ., 1.5 V max. I = 30 mA F F Reverse current I 0.01 μA typ., 10 μA max. V = 4 V R R Peak emission wave- λ 940 nm typ. I = 20 mA P F length Detector Light current I 0.5 to 14 mA 1 to 28 mA 0.1 mA min. 0.5 to 14 mA I = 20 mA, L F V = 10 V CE Dark current I 2 nA typ., 200 nA max. V = 10 V, D CE 0lx Leakage current I --- --- LEAK Collector–Emitter satu- V (sat) 0.1 V typ., 0.4 V max. --- 0.1 V typ., I = 20 mA, CE F rated voltage 0.4 V max. I = 0.1 mA L Peak spectral sensitivity λ 850 nm typ. V = 10 V P CE wavelength Rising time tr 4 μs typ. V = 5 V, CC Falling time tf 4 μs typ. RL = 100 Ω, I = 5 mA L 114 EE-SV3 Series Photomicrosensor (Transmissive)

■ Engineering Data Forward Current vs. Collector Forward Current vs. Forward Light Current vs. Forward Current Dissipation Temperature Rating Voltage Characteristics (Typical) Characteristics (Typical) Forward current I (mA)F PIFC ector dissipation P (mW)C Forward current I (mA)F TTTaaa === 27−503°°0CC°C Light current I (mA)L TVaC E= = 2 150°C V oll C Ambient temperature Ta (°C) Forward voltage VF (V) Forward current IF (mA) Light Current vs. Collector−Emitter Relative Light Current vs. Ambi- Dark Current vs. Ambient ent Temperature Characteristics Voltage Characteristics (EE-SV3(-B)) Temperature Characteristics (Typical) (Typical) A) Ta = 25°C (%)L IVFC =E 2=0 5 m VA nA) 0V ClEx = 10 V Light current I (mL IIIIIFFFFF ===== 4321500000 mmmmmAAAAA ative light current I Dark current I (D el R Collector−Emitter voltage VCE (V) Ambient temperature Ta (°C) Ambient temperature Ta (°C) Response Time vs. Load Resist- Sensing Position Characteristics Sensing Position Characteristics ance Characteristics (Typical) (EE-SV3-D(S)) (EE-SV3(-B)) μme tr, tf (s) TVaC C= = 2 55° VC urrent I (%)L Center TIVoFafC = oE= p 2= t20i c15 am0°l Ca AVx i s current I (%)L Center oTIVFfa C o= Ep= 2t= ic20 a15 lm 0°aC xAVis e ti ht c ght ons e lig ve li Resp elativ Relati R Load resistance RL (kΩ) Distance d (mm) Distance d (mm) Sensing Position Characteristics Sensing Position Characteristics Response Time Measurement (EE-SV3-G(S)) (EE-SV3-C(S)) Circuit nt I (%)L TIVFaC = E= 2= 20 15 m0°−C AV0 nt I (%)L Center TIVoFafC = oE= p 2= t20i c15 am0°l Ca AVx i s OIuntppuutt 9100 %% e e urr d + urr c c ght Center of optical axis ght Input e li e li ativ ativ Output el el R R Distance d (mm) Distance d (mm) EE-SV3 Series Photomicrosensor (Transmissive) 115

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