Datasheet下载- 型号： IRLI640GPBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLI640GPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLI640GPBF价格参考。VishayIRLI640GPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLI640GPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLI640GPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRLI640GPBF 是 Vishay Siliconix（威世科技）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET）类别。该器件广泛应用于多种电力电子系统中，适合中高功率的开关操作。 主要应用场景包括： 1. 电源转换系统：如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等，用于高效能电能转换，具有导通电阻低、开关速度快的特点。 2. 电机驱动电路：适用于直流电机、步进电机或无刷电机的控制电路中，作为功率开关使用，具备良好的热稳定性和负载能力。 3. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）或太阳能逆变器中，用于将直流电转换为交流电的过程，支持高频率切换操作。 4. 电池管理系统（BMS）：作为充放电控制开关，用于电动工具、电动车或储能系统中，具有较高的可靠性和耐用性。 5. 工业自动化设备：如PLC控制模块、工业继电器替代方案，适用于需要高速开关和高耐压能力的场合。 该MOSFET采用TO-220封装，便于散热，适合通孔安装，具备较高的耐用性和稳定性，广泛用于工业、消费类电子及汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FPMOSFET N-Chan 200V 9.9 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 9.9 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRLI640GPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLI640GPBFIRLI640GPBF |
| Pd-PowerDissipation | 40 W |
| Pd-功率耗散 | 40 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 180 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 180 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 83 ns |
| 下降时间 | 52 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 66nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 180 毫欧 @ 5.9A，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | *IRLI640GPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 44 ns |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.9A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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