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产品简介:
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NTD14N03R-001 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻、高效率和良好热性能的特点。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等电路,用于提高电源转换效率。 2. 电机控制:在直流电机驱动器和步进电机控制器中作为开关元件,实现对电机转速和方向的控制。 3. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板电脑和便携式充电器等,用于电池充放电管理和电源切换。 4. 工业自动化:用于PLC(可编程逻辑控制器)、工业电源和传感器模块中,实现高速开关和功率控制。 5. 消费类电子产品:如LED照明驱动、智能家电和电源适配器中,提供高效、稳定的功率开关功能。 该MOSFET具备30V耐压、14A电流能力,采用小型DFN封装,适合高密度PCB布局,适用于需要高效能与小体积设计的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 25V 2.5A IPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTD14N03R-001 |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 115pF @ 20V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.8nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 95 毫欧 @ 5A,10V |
供应商器件封装 | I-Pak |
其它名称 | NTD14N03R-001OS |
功率-最大值 | 1.04W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
标准包装 | 75 |
漏源极电压(Vdss) | 25V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.5A (Ta) |