ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > ZXM61N02FTA
Datasheet下载- 型号： ZXM61N02FTA
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXM61N02FTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXM61N02FTA价格参考￥0.74-￥0.96。Diodes Inc.ZXM61N02FTA封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 20V 1.7A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3。您可以下载ZXM61N02FTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXM61N02FTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXM61N02FTA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET（场效应晶体管）类别中的单MOSFET产品。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性，适用于多种中低功率应用。 其典型应用场景包括：便携式电子设备中的电源管理，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电池保护电路；DC-DC 转换器，用于提升或降低电压以提高能效；电机驱动电路，特别是在小型直流电机或步进电机控制中表现优异；LED 驱动电路，可用于背光控制或照明系统中的开关调节；以及各类电源开关应用，如负载开关、热插拔控制器等。 由于 ZXM61N02FTA 采用先进的沟槽技术制造，具备较低的栅极电荷和导通损耗，因此在高频开关应用中效率较高。其封装为 SOT-23，体积小巧，适合空间受限的高密度 PCB 设计。 此外，该 MOSFET 还广泛应用于消费类电子产品、工业控制模块、USB 电源开关及过流保护电路中，尤其适合需要低电压驱动（如3.3V或5V逻辑电平）即可完全导通的场景。综合来看，ZXM61N02FTA 是一款高性能、高可靠性的功率开关器件，适用于对效率、尺寸和成本敏感的现代电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3MOSFET 20V N-Chnl HDMOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.7 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXM61N02FTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXM61N02FTA |
| Pd-PowerDissipation | 625 mW |
| Pd-功率耗散 | 625 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 180 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 180 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 4.2 ns |
| 下降时间 | 4.2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 160pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 180 毫欧 @ 930mA，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | ZXM61N02FTR |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 7.8 ns |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.7A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
.jpg)
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
