【未分类_IPD50R3K0CEBTMA1】封装/厂家_IPD50R3K0CEBTMA1中文资料_价格

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型号： IPD50R3K0CEBTMA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IPD50R3K0CEBTMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD50R3K0CEBTMA1价格参考。InfineonIPD50R3K0CEBTMA1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IPD50R3K0CEBTMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPD50R3K0CEBTMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies（英飞凌科技）的IPD50R3K0CEBTMA1是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单管配置。该器件具有300V的漏源电压（VDS）和50Ω的导通电阻（RDS(on)），适用于中高功率应用。

该MOSFET的主要应用场景包括：

1. 电源管理：用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC适配器，提供高效能的电能转换。

2. 电机驱动：适用于工业自动化和电动工具中的电机控制电路，具备良好的导通与开关性能。

3. 照明系统：如LED驱动器，支持高效率和高稳定性的照明电源设计。

4. 家用电器：用于洗衣机、空调、微波炉等家电中的功率控制模块。

5. 充电器与适配器：适用于笔记本电脑、智能手机等设备的充电器设计，具备高效率和小尺寸优势。

该MOSFET采用节能封装技术，具有良好的热性能和可靠性，适合在高频率和高效率要求的电路中使用，广泛应用于工业、消费电子和汽车电子领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
Id-ContinuousDrainCurrent	1.7 A
Id-连续漏极电流	1.7 A
品牌	Infineon Technologies
产品目录	半导体
描述	MOSFET COOL MOS
产品分类	分离式半导体
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPD50R3K0CEBTMA1
产品型号	IPD50R3K0CEBTMA1
Pd-PowerDissipation	18 W
Pd-功率耗散	18 W
Qg-GateCharge	4.3 nC
Qg-栅极电荷	4.3 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	2.7 Ohms
RdsOn-漏源导通电阻	2.7 Ohms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	500 V
Vds-漏源极击穿电压	500 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vgs-栅源极击穿电压	30 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	3 V
Vgsth-栅源极阈值电压	3 V
上升时间	5.8 ns
下降时间	49 ns
产品种类	MOSFET
典型关闭延迟时间	23 ns
商标	Infineon Technologies
商标名	CoolMOS
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	2.7 Ohms
封装	Reel
封装/箱体	DPAK-2
工厂包装数量	2500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
汲极/源极击穿电压	500 V
漏极连续电流	1.7 A
系列	IPD50R3
配置	Single
零件号别名	SP000992074