Datasheet下载- 型号： IPF05N03LA G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPF05N03LA G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPF05N03LA G价格参考。InfineonIPF05N03LA G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPF05N03LA G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPF05N03LA G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的IPF05N03LA G是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单个N沟道功率MOSFET。该器件具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适用于多种功率电子应用。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中，以提高能效和减小系统尺寸。 2. 电池管理系统（BMS）：用于电动工具、电动自行车、储能系统等，作为充放电控制开关。 3. 负载开关：用于控制负载的通断，如LED照明、电机驱动等，具有快速开关和低损耗特性。 4. 汽车电子：适用于车载电源系统、车身控制模块等对可靠性要求高的汽车应用。 5. 工业控制：用于工业自动化设备中的功率控制和保护电路。 该MOSFET采用PG-TSDSO-8封装，适合表面贴装，便于在紧凑型设计中使用，是一款高性价比的功率开关器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 50A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPD05N03LA_Rev2.2_G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b429d9f64210 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPF05N03LA G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3110pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.1 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | P-TO252-3 |
| 其它名称 | IPF05N03LAG |
| 功率-最大值 | 94W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
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