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  • 型号: IXFP5N100PM
  • 制造商: IXYS
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IXFP5N100PM产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFP5N100PM由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFP5N100PM价格参考。IXYSIXFP5N100PM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 1000V 2.3A(Tc) 42W(Tc) TO-220 隔离的标片。您可以下载IXFP5N100PM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFP5N100PM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS品牌的IXFP5N100PM是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率型单管结构,具有高耐压、低导通电阻等特性。其典型应用场景主要包括:

1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器中作为主开关元件,利用其高效率和快速开关特性提升系统能效。

2. 逆变器与变频器:用于太阳能逆变器、电机驱动变频器中,负责将直流电转换为交流电或调节输出频率,适合高频工作环境。

3. 工业自动化控制系统:在PLC、伺服驱动器等设备中作为功率控制器件,实现对执行机构的精确控制。

4. 电动车相关应用:包括电动汽车充电模块、车载逆变器等场景,适用于需要高效能量转换的电力电子系统。

5. UPS不间断电源:用于电源切换及稳定输出环节,保障负载设备在断电时仍能正常运行。

该器件具备良好的热稳定性与抗过载能力,适合高温环境下长时间运行,在高可靠性要求的工业及能源管理领域应用广泛。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 1000V 2.3A TO-220

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

IXYS

数据手册

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产品图片

产品型号

IXFP5N100PM

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

Polar™ HiPerFET™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

6V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1830pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

33.4nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.8 欧姆 @ 2.5A,10V

供应商器件封装

TO-220 隔离的标片

功率-最大值

42W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3 隔离片

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

1000V(1kV)

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.3A (Tc)

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