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IXFP5N100PM产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFP5N100PM由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFP5N100PM价格参考。IXYSIXFP5N100PM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 1000V 2.3A(Tc) 42W(Tc) TO-220 隔离的标片。您可以下载IXFP5N100PM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFP5N100PM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFP5N100PM是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率型单管结构,具有高耐压、低导通电阻等特性。其典型应用场景主要包括: 1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器中作为主开关元件,利用其高效率和快速开关特性提升系统能效。 2. 逆变器与变频器:用于太阳能逆变器、电机驱动变频器中,负责将直流电转换为交流电或调节输出频率,适合高频工作环境。 3. 工业自动化控制系统:在PLC、伺服驱动器等设备中作为功率控制器件,实现对执行机构的精确控制。 4. 电动车相关应用:包括电动汽车充电模块、车载逆变器等场景,适用于需要高效能量转换的电力电子系统。 5. UPS不间断电源:用于电源切换及稳定输出环节,保障负载设备在断电时仍能正常运行。 该器件具备良好的热稳定性与抗过载能力,适合高温环境下长时间运行,在高可靠性要求的工业及能源管理领域应用广泛。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 1000V 2.3A TO-220 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | IXYS |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IXFP5N100PM |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | Polar™ HiPerFET™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 6V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1830pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33.4nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.8 欧姆 @ 2.5A,10V |
供应商器件封装 | TO-220 隔离的标片 |
功率-最大值 | 42W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 隔离片 |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 1000V(1kV) |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.3A (Tc) |