Datasheet下载- 型号： SI7149DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7149DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7149DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7149DP-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7149DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7149DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI7149DP-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET，其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：适用于降压、升压或升降压转换器中的开关元件，提供高效的功率转换。 - 负载开关：用于动态控制电路中负载的通断，常见于消费电子设备（如手机、平板电脑）中。 - 电池管理：在电池充电和保护电路中，用作充放电路径的开关，确保电流方向正确并防止过流。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：用于驱动玩具、家用电器中的小型电机，实现启停、调速等功能。 - H桥电路：作为H桥的一部分，用于双向控制电机旋转方向。 3. 信号切换 - 信号路径切换：在多路复用器或多路选择器中，用于切换不同的信号路径。 - 音频信号切换：在音响设备中，用于切换输入源或输出通道。 4. 保护电路 - 过流保护：通过检测电流大小并快速切断电路，防止下游器件损坏。 - 短路保护：在发生短路时迅速关断，避免系统过热或损坏。 5. 消费电子 - 便携式设备：广泛应用于智能手机、笔记本电脑、平板电脑等便携式设备的电源管理系统。 - USB接口保护：在USB供电或数据传输中，用作保护开关以防止过流或反向电流。 6. 工业应用 - 传感器接口：用于工业自动化设备中，控制传感器的供电或信号传输。 - 照明控制：在LED驱动电路中，用作开关以调节亮度或实现调光功能。 特性优势 - 低导通电阻（Rds(on)）：减少功率损耗，提高效率。 - 高开关速度：适合高频应用，降低开关损耗。 - 小封装尺寸：节省PCB空间，适合紧凑型设计。 - 优异的热性能：能够承受较高功耗，确保长时间稳定运行。 该型号的MOSFET凭借其高效能和可靠性，成为众多电子设备中不可或缺的关键元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8MOSFET 30V 50A 69W 5.2mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 42 A |
| Id-连续漏极电流 | 42 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?68934 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7149DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7149DP-T1-GE3SI7149DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 6.25 W |
| Pd-功率耗散 | 6.25 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 14 ns, 150 ns |
| 下降时间 | 72 ns, 110 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4590pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 147nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.2 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品种类 | P-Channel MOSFETs |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 典型关闭延迟时间 | 230 ns |
| 功率-最大值 | 69W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
| 系列 | SI71xxDx |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 零件号别名 | SI7149DP-GE3 |
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