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  • 型号: FDN359BN
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDN359BN由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDN359BN价格参考¥0.58-¥0.58。Fairchild SemiconductorFDN359BN封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 2.7A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3。您可以下载FDN359BN参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDN359BN 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

FDN359BN

PCN封装

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

PowerTrench®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

650pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

7nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

46 毫欧 @ 2.7A,10V

供应商器件封装

3-SSOT

其它名称

FDN359BNFSDKR

功率-最大值

460mW

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.7A (Ta)

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