ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > PDTA144EMB,315
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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PDTA144EMB,315
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA144EMB,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA144EMB,315价格参考。NXP SemiconductorsPDTA144EMB,315封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 180MHz 250mW Surface Mount DFN1006B-3。您可以下载PDTA144EMB,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA144EMB,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTA144EMB,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款预偏置 NPN 型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-集电极电阻（R₁=10 kΩ，R₂=47 kΩ），采用超小型 SOT-883（SC-107D）封装。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：适用于 1.8V/3.3V/5V 微控制器 GPIO 输出的信号开关，直接驱动LED、小功率继电器或MOSFET栅极； 2. 便携式电子设备中的负载开关：如智能手机、可穿戴设备中用于控制背光、传感器供电或指示灯的低功耗通断； 3. 简单逻辑功能实现：作为反相器、缓冲器或有源低电平开关，替代分立电阻+晶体管方案，节省PCB面积并提升一致性； 4. 电池供电系统的省电设计：因内置偏置电阻优化了开启/关断特性，具备较低的待机电流（ICEX < 100 nA），适合对功耗敏感的应用。 该器件无需外接偏置电阻，简化电路设计，提高装配良率，特别适用于空间受限、成本敏感且需快速开发的消费类及工业嵌入式系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA144EMB,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006B（0.6x1） |
| 其它名称 | 934065929315 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | 180MHz |
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