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Datasheet下载- 型号： IRLU3410PBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLU3410PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLU3410PBF价格参考。International RectifierIRLU3410PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLU3410PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLU3410PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRLU3410PBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单一类别。该型号的MOSFET具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于多种应用场景，包括但不限于以下领域： 1. 开关电源（SMPS） IRLU3410PBF常用于开关电源的设计中，作为功率开关器件。其低导通电阻（Rds(on)）特性可以减少功率损耗，提高效率，适合于DC-DC转换器、AC-DC适配器等应用。 2. 电机驱动 该MOSFET可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，提供高效的开关控制。其快速开关能力和低功耗特点使其非常适合需要频繁启停或调速的电机应用。 3. 电池管理 在电池管理系统（BMS）中，IRLU3410PBF可以用作充放电控制开关，保护电池免受过流、短路等异常情况的影响。其低导通电阻有助于降低电池连接时的电压降。 4. 负载切换 该器件适用于负载切换电路，例如在汽车电子、消费电子和工业控制系统中，用于动态切换负载以节省能源或保护电路。 5. 逆变器 在小型逆变器应用中，IRLU3410PBF可用作功率开关，将直流电转换为交流电，支持家用电器、照明设备等的供电需求。 6. LED驱动 该MOSFET可用于大功率LED驱动电路中，调节电流以实现亮度控制，同时确保高效运行和散热性能。 7. 音频放大器 在D类音频放大器中，IRLU3410PBF可以用作输出级开关，提供高效且低失真的音频信号放大。 特性总结： - 低导通电阻：典型值为4.5mΩ（Vgs=10V），降低功耗。 - 高电流能力：连续漏极电流可达40A（Tc=25°C）。 - 快速开关速度：适合高频应用。 - 工作电压范围：最大漏源电压为55V，适用于低压系统。 综上所述，IRLU3410PBF广泛应用于各种电力电子设备中，尤其是在需要高效功率转换和低功耗的场景下表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 17A I-PAKMOSFET MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 15 A |
| Id-连续漏极电流 | 15 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLU3410PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLU3410PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 52 W |
| Pd-功率耗散 | 52 W |
| Qg-GateCharge | 22.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 22.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 155 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 155 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 105 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 其它名称 | *IRLU3410PBF |
| 功率-最大值 | 79W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 17A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlr3410.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlr3410.spi |
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