ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > DDC114EU-7-F
Datasheet下载- 型号： DDC114EU-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DDC114EU-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DDC114EU-7-F价格参考。Diodes Inc.DDC114EU-7-F封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363。您可以下载DDC114EU-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DDC114EU-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DDC114EU-7-F是一款晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置产品，适用于多种电子设备和应用场景。具体应用包括： 1. 电源管理 该器件常用于电源管理系统中，特别是在需要精确控制电流和电压的应用中。预偏置功能使得它在启动和稳态工作时更加稳定，减少了启动冲击和波动，确保电源输出的平稳性。例如，在开关电源（SMPS）中，DDC114EU-7-F可以用于实现高效的功率转换，提供稳定的输出电压。 2. 信号放大与处理 在音频设备、通信系统和其他需要信号放大的场合，DDC114EU-7-F能够提供高增益和低噪声性能。其预偏置特性确保了工作点的稳定性，避免了因温度变化或负载波动引起的性能下降。例如，在无线通信模块中，它可以用于射频信号的放大，确保信号传输的质量和可靠性。 3. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，如步进电机、直流电机等，DDC114EU-7-F可以作为驱动电路中的关键元件。它能够承受较大的电流波动，并且通过预偏置设计，减少了开关损耗，提高了电机的响应速度和效率。此外，它还可以用于电机的速度控制和位置控制，确保电机运行的精度和稳定性。 4. 保护电路 DDC114EU-7-F还可以用于过流保护、短路保护等安全电路中。其快速响应特性和预偏置设计使得它能够在检测到异常情况时迅速切断电流，保护其他敏感元件免受损坏。例如，在电池管理系统中，它可以用于防止过充、过放和过热等问题，确保系统的安全性。 5. 消费电子产品 在智能手机、平板电脑等消费电子产品中，DDC114EU-7-F可以用于背光驱动、摄像头对焦马达驱动等场景。它的低功耗和高效能特性有助于延长电池寿命，同时保持设备的高性能表现。 总的来说，DDC114EU-7-F凭借其预偏置设计和稳定的性能，广泛应用于电源管理、信号处理、电机驱动、保护电路和消费电子产品等领域，为各种应用场景提供了可靠的解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT363开关晶体管 - 偏压电阻器 DUAL NPN 200mW |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Diodes Incorporated DDC114EU-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DDC114EU-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | DDC114EU-FDITR |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 0.2 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 系列 | DDC114E |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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