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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STP10NM50N由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP10NM50N价格参考。STMicroelectronicsSTP10NM50N封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STP10NM50N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP10NM50N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics(意法半导体)生产的STP10NM50N是一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET),广泛应用于中高压功率转换场景。其耐压高达500V,连续漏极电流为10A,具备低导通电阻和优良的开关性能,适合高效率、高频率的电力电子系统。 典型应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):常用于AC-DC或DC-DC转换器中作为主开关器件,适用于工业电源、适配器和充电器等设备。 2. 电机驱动:在中小功率交流或直流电机控制中作为功率开关,如家用电器、电动工具和工业自动化设备。 3. 照明系统:用于电子镇流器、LED驱动电源和高强度放电灯(HID)控制电路。 4. 逆变器与UPS:在不间断电源(UPS)、太阳能逆变器和变频器中实现直流到交流的转换。 5. 感应加热与消费类电器:如电磁炉、微波炉等需要高频开关和高耐压能力的场合。 该器件采用TO-220或TO-220FP封装,具有良好的散热性和可靠性,适合在较宽温度范围内稳定运行。凭借STMicroelectronics在功率器件领域的技术积累,STP10NM50N在能效、耐用性和性价比方面表现优异,是工业与消费类电子产品中常见的功率开关选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 7A TO220MOSFET N-Ch 500V 0.53 Ohm 7A MDmesh II |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7 A |
| Id-连续漏极电流 | 7 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP10NM50NMDmesh™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP10NM50N |
| Pd-PowerDissipation | 70 W |
| Pd-功率耗散 | 70 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 630 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 630 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 450pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 630 毫欧 @ 3.5A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | 497-10770-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF250127?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 70W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 成形引线 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7A (Tc) |
| 系列 | STP10NM50N |
| 配置 | Single |