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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7453TR由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7453TR价格参考。International RectifierIRF7453TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7453TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7453TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,其产品广泛应用于汽车、工业、能源和通信等领域。 型号为IRF7453TR的MOSFET属于双N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻、高效率和优异的热性能。 应用场景主要包括: 1. 电源管理:适用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关等电源管理电路,提高能效并减小电路体积。 2. 电机控制:用于小型电机驱动电路,如电动工具、风扇、泵等设备中的功率开关。 3. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板电脑、移动电源等便携设备中的电源开关和功率调节。 4. 工业自动化:用于PLC(可编程逻辑控制器)、传感器电源管理及工业开关电源中。 5. 汽车电子:如车载充电系统、车身控制模块、LED照明驱动等对效率和可靠性要求较高的场景。 由于其封装小巧(如TSOP),IRF7453TR适合高密度PCB布局,广泛用于需要高效能与低功耗设计的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRF7453TR |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 930pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 230 毫欧 @ 1.3A,10V |
供应商器件封装 | 8-SO |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 4,000 |
漏源极电压(Vdss) | 250V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.2A (Ta) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf7453.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf7453.spi |