Datasheet下载- 型号： IXFT21N50Q
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFT21N50Q由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFT21N50Q价格参考。IXYSIXFT21N50Q封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFT21N50Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFT21N50Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFT21N50Q是一款N沟道功率MOSFET，属于晶体管中的FET（场效应晶体管）类别。该器件具有500V的高漏源击穿电压和21A的连续漏极电流能力，适用于中高功率开关应用。 其主要应用场景包括：工业电机驱动、开关电源（SMPS）、逆变器（如太阳能逆变器和UPS不间断电源）、电焊机电源模块以及感应加热系统等。由于具备较高的耐压和电流能力，IXFT21N50Q在需要高效能量转换和稳定可靠性能的电力电子设备中表现优异。此外，其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高系统整体效率。 该MOSFET常用于硬开关或谐振拓扑结构中，适合在高温、高电压环境下工作，广泛应用于工业控制、能源转换与电力调节领域。由于采用TO-247封装，散热性能良好，便于集成到各种功率模块中。总体而言，IXFT21N50Q是一款适用于中高功率、高可靠性要求场合的高性能MOSFET器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 21A TO-268 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IXFT21N50Q |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HiPerFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 4mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 84nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 250 毫欧 @ 10.5A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-268 |
| 功率-最大值 | 280W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 21A （Tc） |
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