Datasheet下载- 型号： SIE726DF-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIE726DF-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIE726DF-T1-GE3价格参考。VishaySIE726DF-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIE726DF-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIE726DF-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIE726DF-T1-GE3是一款P沟道增强型MOSFET，采用1.2mm×1.2mm小型封装（PowerPAK SC-70），适用于空间受限的便携式电子设备。其主要应用场景包括： 1. 电池供电设备：广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，作为电源开关或负载开关，实现低功耗管理和电池保护。 2. 电源管理电路：在DC-DC转换器和电压调节模块中用于同步整流或高端/低端开关，提升能效。 3. 过压/过流保护电路：配合控制器用于USB端口、充电管理IC中，防止反向电流和短路损坏。 4. 信号开关应用：在模拟开关或多路复用电路中用于小信号切换，得益于其低导通电阻（典型值约0.26Ω）和快速响应特性。 5. 便携医疗设备：如血糖仪、电子体温计等，要求高可靠性与微型化设计的场合。 该器件具有低栅极电荷、良好热性能和高抗噪能力，适合高频开关和节能设计。其小尺寸封装便于高密度PCB布局，是消费类电子和工业便携设备中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAKMOSFET 30V 175A 125W 2.4mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 60 A |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIE726DF-T1-GE3SkyFET®， TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIE726DF-T1-GE3 |
| Pd-功率耗散 | 5.2 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.4 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7400pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 160nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.4 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 10-PolarPAK®（L） |
| 其它名称 | SIE726DF-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 55 ns |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 10-PolarPAK®（L） |
| 封装/箱体 | PolarPAK-10 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 90 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Tc） |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SIE726DF-GE3 |
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