Datasheet下载- 型号： MR25H10CDFR
- 制造商： EVERSPIN TECHNOLOGIES
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MR25H10CDFR由EVERSPIN TECHNOLOGIES设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MR25H10CDFR价格参考。EVERSPIN TECHNOLOGIESMR25H10CDFR封装/规格：存储器， MRAM（磁阻式 RAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） SPI 40MHz 8-DFN-EP，小标志（5x6）。您可以下载MR25H10CDFR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MR25H10CDFR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Everspin Technologies 的 MR25H10CDFR 是一款 1-Mbit（128K × 8）串行 SPI 接口的磁阻式随机存取存储器（MRAM），具有非易失性、高速读写（最高 40 MHz SPI）、无限擦写寿命（>10¹⁵ 次）、宽温工作范围（–40°C 至 +125°C）及抗辐射/抗冲击特性。 其典型应用场景包括： - 工业自动化与PLC：用于保存实时运行参数、配置数据和断电瞬时状态，无需备用电池或电容，提升系统可靠性； - 汽车电子：满足AEC-Q100 Grade 1标准，适用于ADAS控制器、车身控制模块（BCM）中需快速记录故障码（DTC）、传感器校准值等关键非易失数据； - 医疗设备：在便携式监护仪、输液泵等设备中存储患者设置、运行日志和固件更新缓存，确保断电不丢数且符合功能安全要求； - 通信基础设施：用于基站FPGA配置存储、网络交换芯片上下文快照，在毫秒级掉电保护场景下替代EEPROM/Flash，避免写入延迟与磨损问题； - 航空航天与高可靠性系统：凭借MRAM固有的抗单粒子翻转（SEU）能力和宽温稳定性，适用于卫星遥测存储、飞行控制黑匣子缓存等严苛环境。 该器件无需写入延时、无写入寿命限制，特别适合频繁更新小量关键数据的“类RAM+类Flash”混合应用，是传统非易失存储的理想升级选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC MRAM 1MBIT 40MHZ 8DFN |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Everspin Technologies Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MR25H10CDFR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 8-DFN-EP，小标志 （5x6） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量 | 1M （128K x 8） |
| 封装/外壳 | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | SPI 串行 |
| 标准包装 | 4,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 40MHz |
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