ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > FDS8984
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Datasheet下载- 型号： FDS8984
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS8984由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS8984价格参考￥4.34-￥11.58。Fairchild SemiconductorFDS8984封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 7A 1.6W 表面贴装 8-SO。您可以下载FDS8984参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS8984 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS8984是安森美（ON Semiconductor）推出的一款MOSFET阵列产品，属于N沟道功率MOSFET，采用SO-8封装。该器件集成了两个独立的MOSFET，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热性能，适用于需要高效、紧凑设计的电源管理应用。 FDS8984主要应用于便携式电子设备和中低功率电源系统。常见使用场景包括：智能手机、平板电脑、笔记本电脑等移动设备中的电源开关与负载管理；电池管理系统（BMS）中的充放电控制；DC-DC转换器中的同步整流电路，提升转换效率；以及各类消费类电子产品中的电机驱动或LED驱动电路。 此外，由于其具备良好的栅极耐压能力和稳定的高温工作性能，FDS8984也适用于对可靠性要求较高的工业控制模块、电源适配器和嵌入式系统中。在热插拔电路和电源多路复用设计中，该器件可有效防止电流冲击，保护后级电路。 综上所述，FDS8984凭借其高集成度、低功耗和高可靠性，广泛用于便携设备电源管理、DC-DC转换、电池控制及工业电子等领域，是中小型功率开关应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CHAN 30V 7A 8-SOICMOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7 A |
| Id-连续漏极电流 | 7 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS8984PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDS8984 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.6 W |
| Pd-功率耗散 | 1.6 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 19 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 19 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 635pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 23 毫欧 @ 7A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | FDS8984CT |
| 典型关闭延迟时间 | 42 ns |
| 功率-最大值 | 1.6W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 187 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7A |
| 系列 | FDS8984 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
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