Datasheet下载- 型号： NTD5407NT4G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD5407NT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD5407NT4G价格参考。ON SemiconductorNTD5407NT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD5407NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD5407NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD5407NT4G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 电源管理： NTD5407NT4G 适用于各种开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电压调节模块（VRM）。由于其低导通电阻（Rds(on)）特性，能够有效降低功率损耗，提高效率，特别适合用于高效能的电源管理系统。 2. 电机驱动： 在小型直流电机或步进电机驱动中，该 MOSFET 可作为开关元件使用。它能够快速切换并承受电机启动时的瞬态电流冲击，同时保持较低的功耗。 3. 负载开关： 用于消费类电子产品中的负载开关应用，例如智能手机、平板电脑和其他便携式设备。通过控制电路的开启与关闭，实现节能及保护功能。 4. 电池保护与管理： 在锂电池或其他可充电电池组中，用作充放电保护开关。其低导通电阻有助于减少电池内阻损失，延长电池使用寿命。 5. 汽车电子： 在汽车电子系统中，如车窗升降器、雨刷控制器或座椅调节装置等，该器件可以提供可靠的开关性能，并满足车载环境对温度范围和稳定性的要求。 6. 信号切换： 在通信设备或音频处理系统中，可用作信号路径上的开关，确保信号完整性的同时避免不必要的干扰。 总之，NTD5407NT4G 凭借其优良的电气特性和紧凑封装形式，广泛应用于需要高效、快速响应以及低功耗解决方案的各种工业、消费及汽车领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 38A DPAKMOSFET NFET 40V 38A PB |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 38 A |
| Id-连续漏极电流 | 38 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD5407NT4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTD5407NT4G |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 75 W |
| Pd-功率耗散 | 75 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 26 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 26 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 17 ns |
| 下降时间 | 51 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1000pF @ 32V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 26 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 66 ns |
| 功率-最大值 | 75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 正向跨导-最小值 | 15 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.6A （Ta）， 38A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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