ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FQD5N60CTM_F080
Datasheet下载- 型号： FQD5N60CTM_F080
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD5N60CTM_F080由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD5N60CTM_F080价格参考。Fairchild SemiconductorFQD5N60CTM_F080封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 600V 2.8A（Tc） 2.5W（Ta），49W（Tc） D-Pak。您可以下载FQD5N60CTM_F080参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD5N60CTM_F080 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD5N60CTM_F080是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型高压MOSFET，属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件具有600V的漏源击穿电压和5A的连续漏极电流能力，适用于中高功率开关应用。 其主要应用场景包括： 1. 电源转换系统：广泛用于开关电源（SMPS）、AC-DC电源适配器、充电器和工业电源模块中，作为主开关器件，实现高效电能转换。 2. 电机驱动：在小型电机控制电路中，如家用电器（洗衣机、风扇）、电动工具等，用于控制电机的启停与调速。 3. 照明系统：应用于LED驱动电源和电子镇流器中，支持高效率、高可靠性的照明解决方案。 4. 逆变器与UPS：在不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等设备中，用于直流到交流的转换过程，具备良好的开关特性和耐压能力。 5. 消费类与工业电子产品：适用于需要高压、中等电流开关功能的各类电子设备，如显示器电源、电源板模块等。 该MOSFET采用TO-252（D-Pak）封装，具有良好的热性能和可靠性，适合表面贴装工艺，便于自动化生产。其快速开关特性与低导通电阻有助于提升系统效率，降低功耗与温升。 综上，FQD5N60CTM_F080是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于多种中高压开关电源及功率控制场景，尤其适合对效率和稳定性有较高要求的应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD5N60CTM_F080 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 670pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.5 欧姆 @ 1.4A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.8A （Tc） |
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