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  • 型号: STD80N6F6
  • 制造商: STMicroelectronics
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STD80N6F6由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD80N6F6价格参考。STMicroelectronicsSTD80N6F6封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 120W(Tc) DPAK。您可以下载STD80N6F6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STD80N6F6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 60V DPAKMOSFET N-CH 60V 80A STripFET VI DeepGATE

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

80 A

Id-连续漏极电流

80 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD80N6F6DeepGATE™, STripFET™ VI

数据手册

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产品型号

STD80N6F6

Pd-PowerDissipation

120 W

Pd-功率耗散

120 W

Qg-GateCharge

122 nC

Qg-栅极电荷

122 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

6.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

6.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4.5 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

7480pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

122nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

6.5 毫欧 @ 40A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

DPAK

其它名称

497-13942-6

功率-最大值

120W

包装

Digi-Reel®

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

80A (Tc)

系列

STD80N6F6

配置

Single

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