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  • 型号: NDT451AN
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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NDT451AN产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NDT451AN由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDT451AN价格参考。Fairchild SemiconductorNDT451AN封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 7.2A(Ta) 3W(Ta) SOT-223-4。您可以下载NDT451AN参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NDT451AN 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NDT451AN 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别,广泛应用于多种电力电子场景。以下是其主要应用场景:

 1. 开关电源 (SMPS)
   - NDT451AN 的低导通电阻(Rds(on) 典型值为 0.036 Ω @ Vgs = 10V)使其非常适合用作开关电源中的功率开关。它能够高效地控制电流的通断,降低传导损耗,提高转换效率。
   - 常见应用包括适配器、充电器和 DC-DC 转换器。

 2. 电机驱动
   - 在小型直流电机或步进电机的驱动电路中,NDT451AN 可作为功率开关或 PWM 控制元件,用于调节电机的速度和方向。
   - 它的高电流能力(连续漏极电流 Id 高达 80A @ 25°C)可以满足大多数电机驱动需求。

 3. 负载切换
   - NDT451AN 可用于汽车电子、工业设备和消费电子产品中的负载切换应用。例如,在汽车中控制灯泡、风扇或其他大电流负载的通断。
   - 其低导通电阻有助于减少发热,延长器件寿命。

 4. 电池管理
   - 在电池保护电路中,NDT451AN 可用作电池充放电路径的开关,确保电池在过流、过压或短路情况下被安全隔离。
   - 它还适用于 UPS(不间断电源)系统中的电池切换功能。

 5. 逆变器
   - 在小型逆变器中,NDT451AN 可用于将直流电转换为交流电,支持家用电器或工业设备的供电需求。
   - 其快速开关特性和低损耗特性提高了逆变器的效率。

 6. 音频功放
   - 在 D 类音频放大器中,NDT451AN 可作为输出级开关,实现高效的音频信号放大,同时减少热量产生。

 7. 继电器替代
   - 在需要频繁开关的场景中,NDT451AN 可以替代传统的机械继电器,提供更快的响应速度和更长的使用寿命。

 总结
NDT451AN 凭借其低导通电阻、高电流能力和快速开关性能,适合各种需要高效功率控制的应用场景。无论是消费电子、工业设备还是汽车电子领域,这款 MOSFET 都能发挥重要作用。选择具体应用场景时,需根据实际电路要求(如电压、电流、频率等)进行合理设计和匹配。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

7.2 A

Id-连续漏极电流

7.2 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor NDT451AN-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet

产品型号

NDT451AN

Pd-PowerDissipation

3 W

Pd-功率耗散

3 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

30 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

30 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

13 ns

下降时间

10 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

720pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

30nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

35 毫欧 @ 7.2A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=6736

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-223-3

其它名称

NDT451ANCT

典型关闭延迟时间

29 ns

功率-最大值

1.1W

包装

剪切带 (CT)

单位重量

188 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SOT-223-3

工厂包装数量

4000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

11 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7.2A (Ta)

系列

NDT451

通道模式

Enhancement

配置

Single Dual Drain

零件号别名

NDT451AN_NL

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