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NDT451AN产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NDT451AN由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDT451AN价格参考。Fairchild SemiconductorNDT451AN封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 7.2A(Ta) 3W(Ta) SOT-223-4。您可以下载NDT451AN参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NDT451AN 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NDT451AN 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别,广泛应用于多种电力电子场景。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) - NDT451AN 的低导通电阻(Rds(on) 典型值为 0.036 Ω @ Vgs = 10V)使其非常适合用作开关电源中的功率开关。它能够高效地控制电流的通断,降低传导损耗,提高转换效率。 - 常见应用包括适配器、充电器和 DC-DC 转换器。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机的驱动电路中,NDT451AN 可作为功率开关或 PWM 控制元件,用于调节电机的速度和方向。 - 它的高电流能力(连续漏极电流 Id 高达 80A @ 25°C)可以满足大多数电机驱动需求。 3. 负载切换 - NDT451AN 可用于汽车电子、工业设备和消费电子产品中的负载切换应用。例如,在汽车中控制灯泡、风扇或其他大电流负载的通断。 - 其低导通电阻有助于减少发热,延长器件寿命。 4. 电池管理 - 在电池保护电路中,NDT451AN 可用作电池充放电路径的开关,确保电池在过流、过压或短路情况下被安全隔离。 - 它还适用于 UPS(不间断电源)系统中的电池切换功能。 5. 逆变器 - 在小型逆变器中,NDT451AN 可用于将直流电转换为交流电,支持家用电器或工业设备的供电需求。 - 其快速开关特性和低损耗特性提高了逆变器的效率。 6. 音频功放 - 在 D 类音频放大器中,NDT451AN 可作为输出级开关,实现高效的音频信号放大,同时减少热量产生。 7. 继电器替代 - 在需要频繁开关的场景中,NDT451AN 可以替代传统的机械继电器,提供更快的响应速度和更长的使用寿命。 总结 NDT451AN 凭借其低导通电阻、高电流能力和快速开关性能,适合各种需要高效功率控制的应用场景。无论是消费电子、工业设备还是汽车电子领域,这款 MOSFET 都能发挥重要作用。选择具体应用场景时,需根据实际电路要求(如电压、电流、频率等)进行合理设计和匹配。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.2 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor NDT451AN- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NDT451AN |
| Pd-PowerDissipation | 3 W |
| Pd-功率耗散 | 3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 30 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 30 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 13 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 720pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 35 毫欧 @ 7.2A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=6736 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223-3 |
| 其它名称 | NDT451ANCT |
| 典型关闭延迟时间 | 29 ns |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单位重量 | 188 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 11 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.2A (Ta) |
| 系列 | NDT451 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 零件号别名 | NDT451AN_NL |