Datasheet下载- 型号： PSMN034-100PS,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN034-100PS,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN034-100PS,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN034-100PS,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN034-100PS,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN034-100PS,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN034-100PS,127 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单一类别。该型号的主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源 (SMPS) - PSMN034-100PS,127 的低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力使其非常适合用于开关电源中的功率开关。例如，在 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器或充电器中作为主开关器件。 - 其快速开关特性和低损耗有助于提高电源转换效率。 2. 电机驱动 - 该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，提供高效的开关控制。 - 在 H 桥电路或半桥电路中，用作功率级元件以实现电机的正转、反转和制动功能。 3. 负载开关 - 在消费电子设备（如智能手机、平板电脑等）中，作为负载开关使用，控制不同模块的供电状态。 - 其低导通电阻可减少开关过程中的功率损耗，延长电池寿命。 4. LED 驱动 - 适用于大功率 LED 照明系统，用于调节 LED 电流或实现 PWM 调光功能。 - 提供稳定的电流输出，确保 LED 的亮度一致性和使用寿命。 5. 汽车电子 - 在汽车电子应用中，可用于车载音响系统、电动座椅控制、车窗升降器等场景。 - 其耐高温特性和可靠性满足汽车环境的严格要求。 6. 保护电路 - 用作过流保护或短路保护开关，防止电路因异常情况而损坏。 - 结合限流电路或热关断功能，提供全面的保护机制。 7. 工业自动化 - 在工业控制领域，可用于 PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口或执行器驱动电路中。 - 提供高效、稳定的功率切换能力。 特性优势： - 低导通电阻：降低功耗，提高系统效率。 - 高电流能力：支持大功率应用。 - 快速开关速度：减少开关损耗，适合高频应用。 - 紧凑封装：节省 PCB 空间，便于设计。 总之，PSMN034-100PS,127 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V TO220ABMOSFET N-CH 100V STD LEVEL MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 32 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN034-100PS,127- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN034-100PS,127 |
| Pd-PowerDissipation | 86 W |
| Pd-功率耗散 | 86 W |
| Qg-GateCharge | 23.8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 23.8 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 62 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.8 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1201pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23.8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 34.5 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-5777 |
| 典型关闭延迟时间 | 28 ns |
| 功率-最大值 | 86W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 62 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 32 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 32A （Tmb） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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