Datasheet下载- 型号： PSMN015-60BS,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN015-60BS,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN015-60BS,118价格参考。NXP SemiconductorsPSMN015-60BS,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN015-60BS,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN015-60BS,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN015-60BS,118 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，具有低导通电阻（RDS(on) 典型值 15 mΩ @ VGS = 10 V，22 mΩ @ 4.5 V）、60 V 耐压、连续漏极电流达 67 A（Tc = 25°C），采用 TO-220AB 封装，具备优良的开关性能与热稳定性。 其典型应用场景包括： ✅ 中高功率 DC-DC 转换器（如服务器/通信电源中的同步整流、BUCK 降压主开关）； ✅ 电机驱动电路（如工业风机、泵、电动工具的 H 桥或单路驱动，支持 PWM 高频开关）； ✅ 电源管理模块（如电子负载、电池保护板、热插拔（Hot-swap）及 OR-ing 电路）； ✅ 照明系统（LED 恒流驱动、智能调光控制器中的功率开关）； ✅ 汽车电子辅助系统（符合 AEC-Q101 认证前的工业级设计，适用于车载充电、车身控制等非安全关键场景）。 该器件支持逻辑电平驱动（4.5 V 即可充分导通），兼容微控制器（如 ARM、MCU）直接驱动，简化驱动电路设计；同时具备雪崩耐受能力与低开关损耗，兼顾效率与可靠性。需注意实际应用中应合理设计 PCB 散热（如大面积铜箔、散热片）并优化栅极驱动（避免振荡与过冲）。 （字数：398）
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAKMOSFET N-CH 60 V 14.8 MOHM MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 50 A |
| Id-连续漏极电流 | 50 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN015-60BS,118- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN015-60BS,118 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 86 W |
| Pd-功率耗散 | 86 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 23.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 23.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 4 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 4 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1220pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20.9nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14.8 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-9698-6 |
| 功率-最大值 | 86W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 23.7 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 50 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tmb） |
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