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  • 型号: NX7002AKW,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NX7002AKW,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NX7002AKW,115价格参考。NXP SemiconductorsNX7002AKW,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 170mA(Ta) 220mW(Ta),1.06W(Tc) SOT-323-3。您可以下载NX7002AKW,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NX7002AKW,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 60V SOT323MOSFET 60 V, single N-chan Trench MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

170 mA

Id-连续漏极电流

170 mA

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors NX7002AKW,115-

数据手册

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产品型号

NX7002AKW,115

Pd-PowerDissipation

1060 mW

Pd-功率耗散

1.06 W

Qg-GateCharge

0.33 nC

Qg-栅极电荷

0.33 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

3 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

3 Ohms

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.6 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.6 V

上升时间

7 ns

下降时间

14 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

17pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

0.43nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.5 欧姆 @ 100mA,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-323

其它名称

568-10513-1

典型关闭延迟时间

20 ns

功率-最大值

220mW

包装

剪切带 (CT)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-70,SOT-323

封装/箱体

SC-70-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

230 mS

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

170mA (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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