Datasheet下载- 型号： PMV22EN,215
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMV22EN,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMV22EN,215价格参考。NXP SemiconductorsPMV22EN,215封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMV22EN,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMV22EN,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc.的型号PMV22EN,215是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单个晶体管的类别。该器件通常用于需要高效开关和功率控制的电路中。 PMV22EN,215为N沟道增强型MOSFET，适用于中低功率应用，具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等优点。其常见的应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、稳压器和电池充电电路中，提高电源转换效率。 2. 电机控制：在小型电机或步进电机驱动电路中作为开关元件使用。 3. 负载开关：用于控制LED照明、继电器或加热元件等负载的通断。 4. 工业自动化：在PLC（可编程逻辑控制器）或传感器模块中实现信号控制和功率切换。 5. 消费电子：如智能家电、电动工具和便携式设备中的电源控制部分。 由于其封装小巧、性能稳定，PMV22EN,215广泛应用于对空间和能效有要求的电子产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23MOSFET Small Signal MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.2 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMV22EN,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMV22EN,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 510 mW |
| Pd-功率耗散 | 510 mW |
| Qg-GateCharge | 8.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 8.6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 17 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 17 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 480pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 22 毫欧 @ 5.2A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-7535-6 |
| 功率-最大值 | 510mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 12 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.2A （Ta） |
| 配置 | Single |
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