Datasheet下载- 型号： BSF045N03MQ3 G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSF045N03MQ3 G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSF045N03MQ3 G价格参考。InfineonBSF045N03MQ3 G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSF045N03MQ3 G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSF045N03MQ3 G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为 BSF045N03MQ3 G 的晶体管属于 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管） 类别，是一款单沟道（Single MOSFET）器件。其应用场景主要包括以下几个方面： 1. 电源管理：该MOSFET适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电池管理系统，因其具备较低的导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，有助于提高能效并减少功率损耗。 2. 负载开关：用于控制电源通断，例如在便携式设备或服务器中实现对特定模块的电源管理。 3. 电机驱动：在小型电机控制电路中，作为高效开关使用，适用于电动工具、风扇或泵的控制。 4. 汽车电子：由于其良好的稳定性和可靠性，适用于车载电源系统、车载充电器或LED照明控制。 5. 工业自动化：用于PLC（可编程逻辑控制器）或其他工业控制设备中的功率开关应用。 6. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、充电器等产品中的电源管理模块。 总结：BSF045N03MQ3 G 是一款适用于中低功率场合的高性能MOSFET，广泛用于电源转换、负载控制、汽车电子及工业自动化等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 63A WDSON-2 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | https://www.infineon.com/dgdl/BSF045N03MQ3_G_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431d8a6b3c011d9036ba6903f8 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BSF045N03MQ3 G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2600pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.5 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | MG-WDSON-2，CanPAK M™ |
| 其它名称 | SP000458790 |
| 功率-最大值 | 28W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-WDSON |
| 标准包装 | 5,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Ta）， 63A （Tc） |
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