ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > NTD40N03R-1G
Datasheet下载- 型号： NTD40N03R-1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD40N03R-1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD40N03R-1G价格参考。ON SemiconductorNTD40N03R-1G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 25V 7.8A（Ta），32A（Tc） 1.5W（Ta），50W（Tc） I-PAK。您可以下载NTD40N03R-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD40N03R-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD40N03R-1G 是由 ON Semiconductor 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。这款晶体管具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压等特点，适用于多种电力电子应用。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 NTD40N03R-1G 广泛应用于各种电源管理系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器等。由于其低导通电阻（Rds(on)）特性，可以有效减少传导损耗，提高电源转换效率。此外，该器件的快速开关特性使其适合高频开关应用，能够降低电磁干扰（EMI）并提高系统的响应速度。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中，NTD40N03R-1G 可以作为功率级元件，用于控制电机的启动、停止和调速。它能够承受较大的电流冲击，并且具有良好的热稳定性，确保在长时间工作时不会过热。此外，MOSFET 的低导通电阻有助于减少发热，延长电机驱动系统的使用寿命。 3. 负载切换 该器件还常用于负载切换电路中，如电池管理系统（BMS）、汽车电子中的负载切换等。通过控制 MOSFET 的栅极电压，可以实现对负载的快速接通或断开，从而保护系统免受短路或其他异常情况的影响。NTD40N03R-1G 的高可靠性和快速响应能力使其成为这些应用的理想选择。 4. 太阳能逆变器 在太阳能逆变器中，NTD40N03R-1G 可以用于逆变器的功率级部分，帮助将直流电转换为交流电。其高效的开关特性和低损耗特性有助于提高逆变器的整体效率，减少能量损失，从而提升太阳能发电系统的性能。 5. 消费电子设备 在消费电子产品中，如笔记本电脑、智能手机充电器等，NTD40N03R-1G 可以用于功率调节和保护电路。它能够提供稳定的电流输出，并在过载或短路时迅速切断电源，保护设备免受损坏。 总之，NTD40N03R-1G 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各类电力电子设备中，尤其是在需要高效功率转换和快速响应的应用场景中表现尤为出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 7.8A IPAKMOSFET 25V 45A N-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 45 A |
| Id-连续漏极电流 | 45 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD40N03R-1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTD40N03R-1G |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
| Pd-功率耗散 | 2.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 12.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 12.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 19.5 ns |
| 下降时间 | 3.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 584pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.78nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16.5 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 其它名称 | NTD40N03R-1GOS |
| 典型关闭延迟时间 | 16.7 ns |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 12.6 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 正向跨导-最小值 | 20 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 25 V |
| 漏极连续电流 | 45 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.8A （Ta）， 32A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
