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  • 型号: NTD40N03R-1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTD40N03R-1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD40N03R-1G价格参考。ON SemiconductorNTD40N03R-1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 25V 7.8A(Ta),32A(Tc) 1.5W(Ta),50W(Tc) I-PAK。您可以下载NTD40N03R-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD40N03R-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 25V 7.8A IPAKMOSFET 25V 45A N-Channel

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

45 A

Id-连续漏极电流

45 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD40N03R-1G-

数据手册

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产品型号

NTD40N03R-1G

PCN过时产品

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Pd-PowerDissipation

2.1 W

Pd-功率耗散

2.1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

12.6 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

12.6 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

25 V

Vds-漏源极击穿电压

25 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

19.5 ns

下降时间

3.5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

584pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

5.78nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

16.5 毫欧 @ 10A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

I-Pak

其它名称

NTD40N03R-1GOS

典型关闭延迟时间

16.7 ns

功率-最大值

1.5W

包装

管件

商标

ON Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

12.6 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

75

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

75

正向跨导-最小值

20 S

汲极/源极击穿电压

25 V

漏极连续电流

45 A

漏源极电压(Vdss)

25V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7.8A (Ta), 32A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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