Datasheet下载- 型号： FQD4N50TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD4N50TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD4N50TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD4N50TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQD4N50TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD4N50TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD4N50TM 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，常用于电源管理和功率转换应用。该器件具有4A电流容量和500V漏源击穿电压，适用于中高功率场合。主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：用于AC/DC或DC/DC转换器中的主开关元件，实现高效能电能转换。 2. 电机驱动电路：在小型电机控制、电动工具或家电中作为功率开关使用。 3. 照明系统：如LED驱动电源或镇流器电路中，用于调节输出功率。 4. 逆变器与UPS系统：用于不间断电源或太阳能逆变器中进行直流到交流的电能转换。 5. 工业自动化设备：作为负载开关或继电器替代元件，提高系统可靠性。 其高耐压、良好导通特性和TO-252封装使其适合空间有限但需良好散热性能的设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD4N50TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 460pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.7 欧姆 @ 1.3A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.6A （Tc） |
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