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FDT434P产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDT434P由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDT434P价格参考¥2.26-¥2.82。Fairchild SemiconductorFDT434P封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, P-Channel 20V 6A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4。您可以下载FDT434P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDT434P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的FDT434P是一款P沟道增强型MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET),常用于低电压、低功耗的开关应用。该器件采用先进的工艺制造,具有低导通电阻(RDS(on))、高开关效率和良好的热稳定性,适用于便携式电子设备和电源管理场合。 FDT434P典型的应用场景包括: 1. 电池供电设备:如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等,用于电源开关或负载切换,有效降低功耗,延长电池续航时间。 2. 电源管理电路:在DC-DC转换器、LDO使能控制或反向电流阻断电路中作为开关元件,实现高效的电源通断控制。 3. 电机驱动与继电器驱动:用于小型直流电机或继电器的控制,提供可靠的开关性能。 4. 热插拔电路:在支持热插拔的接口(如USB、SD卡槽)中,防止上电冲击电流,保护后级电路。 5. 信号切换与逻辑控制:在数字系统中作为电平转换或信号通断控制元件,配合N沟道MOSFET构成互补开关电路。 由于其SOT-23小封装形式,FDT434P适合空间受限的高密度PCB设计,广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中。凭借安森美在功率器件领域的技术优势,该型号具备良好的可靠性与一致性,是中小型功率开关应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 6A SOT-223MOSFET SOT-223 P-CH -20V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极,2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDT434PPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDT434P |
| Pd-PowerDissipation | 3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 50 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 30 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1187pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 50 毫欧 @ 6A,4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223-3 |
| 其它名称 | FDT434P-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 单位重量 | 250.200 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 正向跨导-最小值 | 6.5 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6A (Ta) |
| 系列 | FDT434 |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 零件号别名 | FDT434P_NL |